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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和出色热性能的功率开关吗？STF24N60DM2正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有600V/18A的强劲规格，其核心的FDmesh II Plus技术，能显著降低导通电阻和栅极电荷，让您的电源或电机驱动方案轻松实现更低的能量损耗和更快的开关频率。

这意味着，在相同的功率等级下，您的设备可以运行得更凉爽、更安静，整体能效得到大幅提升。无论是用于工业电源、变频器还是照明系统，它都能帮助您优化设计，提升产品竞争力。选择它，就是为您的核心电路选择了一位高效、可靠的“能量指挥官”。

• 型号:STF24N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220 整包
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1055 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220 整包
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF24N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。