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您正在为高压电源设计的效率和可靠性寻找终极解决方案吗？STFW20N65M5 N沟道功率MOSFET就是您期待的答案。它基于先进的MDmesh M5技术，拥有650V的耐压和18A的电流处理能力，核心使命就是让您的系统运行得更冷静、更高效。其超低的190毫欧导通电阻能大幅减少能量在传导过程中的浪费，而优化的动态参数则有助于降低开关损耗，全面提升电源转换效率。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松应对服务器电源、工业驱动、新能源逆变器等高压高频应用挑战。卓越的开关特性配合ISOWATT封装出色的散热能力，让您在设计时能够采用更紧凑的布局，同时确保系统长期稳定运行。选择它，就是为您的产品注入了高性能与高可靠性的基因，助您在市场竞争中脱颖而出。

• 制造商产品型号：STFW20N65M5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 18A ISOWATT
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh M5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：36nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1434pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：48W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：ISOWATT-218FX
• STFW20N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。