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还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又可靠的“心脏”吗？STW65N60DM6正是您期待的答案。这颗采用先进MDmesh DM6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和38A的强大电流处理能力，专为应对高压开关应用中的严峻挑战而设计。

它能为您做什么？它能让您的服务器电源、工业变频器或太阳能逆变器实现更低的导通损耗和更优的开关性能，从而显著提升整体系统效率。这意味着您的设备运行更凉爽、更稳定，同时有效降低了能耗与散热成本。其坚固的TO-247封装确保了卓越的功率耗散能力，让您能够轻松构建出功率密度更高、可靠性更强的下一代产品。

• 型号:STW65N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 38A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW65N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。