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您正在设计需要处理高功率、追求高效率的电源或驱动系统吗？STGW40H65DFB正是为您而来的解决方案。这颗由意法半导体出品的650V/80A沟槽场截止IGBT，凭借其低至2V的导通压降和优化的开关特性，能显著降低您的系统损耗，让电能转换更加高效，直接帮助您提升产品能效等级，同时其高达283W的功率处理能力和宽广的工作温度范围，确保了系统在严苛环境下的强劲与可靠。

它能让您轻松应对工业电机驱动、光伏逆变、UPS电源等高要求应用。其快速的开关速度（低开关能量）意味着更低的开关损耗和更高的工作频率潜力，有助于您缩小磁性元件尺寸，实现更高功率密度的设计。经典的TO-247封装提供了卓越的散热路径，让热管理变得更简单，从而保障芯片在重载下也能稳定发挥全部性能。

• 型号:STGW40H65DFB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:283 W
• 开关能量:498J（导通），363J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:210 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns
• 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):62 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247
• STGW40H65DFB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。