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您正在设计需要处理高压、追求高效转换的电源或驱动方案吗？STFV4N150正是为您而来的强大引擎。这颗N沟道MOSFET拥有高达1500V的击穿电压和4A的连续电流能力，能轻松胜任工业电源、电机控制等高压开关任务，让您的系统核心更加稳固可靠。

它采用意法半导体成熟的PowerMESH技术，在10V栅极电压下提供优异的导通电阻性能，这意味着更低的传导损耗和更高的整体能效。TO-220封装搭配40W的强大散热能力，让您无需为热管理过度担忧，设计更简洁。无论是提升现有方案的可靠性，还是为经典项目延续生命，STFV4N150都能以出色的性能，助您一臂之力。

• 型号:STFV4N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片
• STFV4N150，ST（意法半导体）产品一站式供应商。