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还在寻找一颗能同时兼顾高耐压、低损耗与卓越可靠性的功率开关吗？STFU18N60M2正是为您而来的答案。这颗600V N沟道MOSFET，凭借其优异的性能，能让您轻松驾驭从工业电源到电机驱动等各种中高功率应用场景。

它致力于最大化您的系统能效，通过降低导通与开关损耗，帮助您的设备运行得更凉爽、更持久。其坚固的TO-220FP封装确保了出色的功率耗散能力，让您在追求高性能的同时，无需为散热问题过分担忧。选择STFU18N60M2，就是为您的设计注入一份高效与安心的保障。

• 型号:STFU18N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V TO-220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:791 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU18N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。