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还在为功率开关管的驱动电路设计而耗费精力吗？让TD350E来担当您系统的“指挥家”！这颗来自ST意法半导体的高端单通道栅极驱动器，专为高效、可靠地驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化。

它能够接受标准的逻辑电平信号，并输出强劲的峰值电流（拉出2.3A，灌入1.5A），确保您的功率器件快速、干净地开关，大幅降低开关损耗，提升整体能效。其宽范围供电电压（12V-26V）和卓越的工业级温度耐受性（-40°C至150°C结温），让您轻松应对从工厂自动化到新能源领域的各种严苛应用挑战，实现系统性能与可靠性的双重飞跃。

• 型号:TD350E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 14SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:12V ~ 26V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，4.2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，2.3A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:130ns，75ns（最大）
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• TD350E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。