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还在为P沟道MOSFET的驱动效率和功率损耗而困扰吗？STB16PF06LT4正是为您破解难题的关键。这颗采用STripFET技术的60V/16A功率MOSFET，凭借低至125毫欧的导通电阻和仅15.5nC的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动需求，让您的电源转换或电机控制方案运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松驾驭从工业电源、电池保护到电机驱动在内的多种应用。其坚固的D2PAK封装和宽达-55°C至175°C的工作结温范围，确保了在恶劣环境下的卓越可靠性。选择STB16PF06LT4，就是为您的设计注入一颗强劲而高效的心脏，直接提升终端产品的性能与竞争力。

• 型号:STB16PF06LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB16PF06LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。