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您正在寻找一颗能轻松驾驭650V高压、11A电流，同时保持冷静高效的功率开关吗？STFU16N65M2正是为您而来。它基于ST意法半导体先进的MDmesh M2技术，拥有极低的导通电阻（仅360毫欧@10V），能显著降低导通损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器系统运行得更凉快、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现快速、干净的开关切换，得益于优化的栅极电荷，开关损耗更低，系统整体能效得以提升。其坚固的TO-220FP封装确保出色的散热和可靠性，适用于从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，是应对工业级严苛环境的可靠伙伴。选择它，就是为您的设计选择了经得起考验的性能与持久的稳定输出。

• 型号:STFU16N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:718 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU16N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。