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还在为高压电路中的开关器件选型而犹豫吗？让STFW3N150为您开启高效、可靠的新篇章！这颗基于意法半导体先进PowerMESH技术的N沟道MOSFET，是专为应对严峻挑战而生的高性能开关。

它能轻松驾驭高达1500V的电压，并以极低的导通电阻和栅极电荷，大幅提升您的电源转换效率，减少热量产生。无论是构建更紧凑的工业电源，还是打造更稳定的太阳能逆变器，STFW3N150都能让您的设计脱颖而出，在提升功率密度的同时，确保系统在高温环境下（最高结温150°C）依然稳健运行。

• 型号:STFW3N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:939 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:63W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• STFW3N150，ST（意法半导体）产品一站式供应商。