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您正在设计需要处理高压大电流的电源或电机驱动方案吗？STFI34NM60N就是您理想的功率开关伙伴。这颗N沟道MOSFET拥有600V的耐压和29A的电流处理能力，能轻松应对工业电源、UPS和逆变器等应用中的严苛挑战。

它的核心价值在于高效与可靠。凭借MDmesh II技术，它实现了仅105毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。同时，优化的开关特性帮助您减少开关损耗，提升整体转换效率。坚固的封装确保了出色的散热和长期稳定性，让您对产品的耐用性充满信心。

• 型号:STFI34NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2722 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI34NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。