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还在为寻找一颗既能扛大电流、又能保持超低损耗的“全能型”功率开关而烦恼吗？STL260N4F7正是为您而来的解决方案。这颗基于先进STripFET F7技术的N沟道MOSFET，拥有40V耐压和高达120A的连续电流能力，而其核心魅力在于惊人的低导通电阻仅1.1毫欧。这意味着它能让您的电源转换或电机驱动电路损耗大幅降低，效率显著提升，同时发热更少，系统运行更凉爽、更可靠。

它不仅仅参数亮眼，更致力于让您的设计工作变得轻松高效。极低的栅极电荷和输入电容让驱动电路设计简化，开关速度更快，有助于您优化整体系统性能。采用节省空间的PowerFlat封装，并支持-55°C至175°C的严苛工作温度，让您的产品能够从容应对各种应用环境挑战，从工业自动化到新能源领域，它都是提升产品能效与功率密度的理想选择。

• 型号:STL260N4F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:188W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL260N4F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。