我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STFI260N6F6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能让您的电源设计既强劲又冷静的“心脏”吗？STFI260N6F6 N沟道MOSFET正是为您而来。它凭借仅3毫欧的超低导通电阻，能轻松驾驭高达80A的连续电流，显著降低导通损耗，让您的系统效率飙升，同时大幅减轻散热压力。

这颗芯片集成了意法半导体的DeepGATE与STripFET VI核心技术，不仅开关速度快，性能稳定，其60V的耐压和宽广的-55°C至175°C工作温度范围，更能让您从容应对工业电源、电机驱动、汽车电子等严苛应用。选择它，就是选择了一种高效、可靠的功率解决方案，让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STFI260N6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAKFP（TO-281）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:41.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI260N6F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。