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还在为嵌入式系统的代码与数据存储寻找一个高效、可靠的伙伴吗？DSM2150F5V-12T6就是您理想的解决方案。这颗由ST意法半导体打造的4Mb并行闪存芯片，能以高达120ns的访问速度响应您的微控制器，让系统运行如飞。其512K x 8的存储结构，完美适配各类程序代码与参数表的存储需求。

它能在3V至3.6V的电压下稳定工作，并承受-40°C到85°C的工业级温度范围，确保您的设备无论在严寒还是酷暑中都能可靠运行。采用成熟的80-TQFP表面贴装封装，让您能够轻松完成PCB布局与生产，极大简化您的设计流程。选择它，就是为您的产品选择了一份历经市场验证的存储保障。

• 型号:DSM2150F5V-12T6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:80-TQFP（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 80TQFP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:512K x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:120 ns
• 电压 - 供电:3V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:80-TQFP
• 供应商器件封装:80-TQFP（12x12）
• DSM2150F5V-12T6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。