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还在为功率转换系统的效率与温升烦恼吗？STFI20NM65N正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有650V高耐压和15A强电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（Rds(on)），能大幅减少开关过程中的能量损耗，直接转化为更低的发热和更高的系统效率。

它能让您的电源设计轻松应对严苛环境。优化的栅极电荷和电容特性确保了快速、干净的开关动作，这不仅提升了响应速度，还有助于简化驱动电路设计。无论是用于AC-DC电源、电机控制还是PFC电路，STFI20NM65N都能帮助您构建更可靠、更紧凑、性能更优的电力电子系统，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

• 型号:STFI20NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1280 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI20NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。