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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持极低损耗的功率开关吗？STFI11NM65N正是为此而生。它基于ST先进的MDmesh II技术，拥有650V的漏源电压和11A的连续电流能力，让您在设计电源、电机驱动或逆变器时，能轻松应对高压环境，实现高效、可靠的能量转换。

这颗芯片的核心优势在于其优异的动态特性。极低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统运行更迅捷、更节能。其优化的导通电阻，能显著减少导通状态下的功率损耗，直接提升整体效率，并简化散热设计。选择它，就是为您的产品选择了经市场验证的高性能与高可靠性解决方案。

• 制造商产品型号：STFI11NM65N
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh II
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：455 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：29nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：800pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：25W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAKFP（TO-281）
• STFI11NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。