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您正在寻找一颗能扛起高压重任，同时保持冷静高效的“功率开关”吗？STW10N105K5正是为此而来。这颗来自意法半导体MDmesh K5系列的N沟道MOSFET，拥有1050V的惊人耐压和6A的连续电流能力，让您在设计服务器电源、太阳能逆变器或工业驱动时，面对高压母线更加从容自信。

它的核心价值在于卓越的效率。1.3欧姆的低导通电阻（Rds(on)）意味着更小的传导损耗，而优化的栅极电荷（仅21.5nC）则带来了更快的开关速度和更低的开关损耗。这两者结合，能显著降低系统整体温升，提升能效。采用坚固的TO-247封装，它可轻松管理高达130W的功率，确保您的高功率设计在-55°C到150°C的严酷环境下依然稳定可靠。简而言之，STW10N105K5让您以更低的能耗和发热，实现更强大、更紧凑的电源转换解决方案。

• 型号:STW10N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 6A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW10N105K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。