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您正在寻找一颗能显著提升电源效率、让系统运行更稳定可靠的功率开关吗？STFI13N60M2正是为此而生。这颗来自意法半导体的600V N沟道MOSFET，集成了先进的MDmesh II Plus技术，能够轻松驾驭高达11A的连续电流。

它的核心价值在于为您大幅降低能耗。其极低的导通电阻（Rds(on)）意味着电流通过时的能量损耗更少，发热量更低，从而让您的电源模块或电机驱动装置运行更高效、更凉爽。同时，优化的动态参数助力实现更快的开关速度，进一步提升整体能效。无论是升级现有设计还是开发新产品，它都能让您轻松应对高电压、高功率的挑战，是实现高性能电力转换的得力助手。

• 型号:STFI13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI13N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。