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您正在寻找一颗能同时征服高压、大电流与紧凑空间的功率开关吗？STL24N60DM2正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和15A的强大电流处理能力，其核心的MDmesh DM2技术让它在高压下依然保持超低的导通损耗，助您轻松实现更高的系统效率。

它采用先进的PowerFlat HV封装，在极小的占板面积内提供了卓越的散热性能，让您的电源设计可以更轻薄、更紧凑。更低的栅极电荷确保了快速的开关响应，能有效降低开关损耗，让您的设备运行更凉爽、更高效。无论是提升现有方案的性能，还是挑战全新的高密度设计，STL24N60DM2都是您可靠而强大的伙伴。

• 型号:STL24N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1055 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL24N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。