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还在为高压开关应用的效率和热管理头疼吗？STF9N60M2正是为您而来的解决方案！这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V耐压和5.5A电流能力，能轻松胜任开关电源、照明驱动等场景中的核心开关任务。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更可靠。极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更小的传导损耗，而优化的栅极电荷（Qg）则确保了快速、干净的开关动作，显著降低开关损耗和电磁干扰。这一切都让您的系统运行更凉爽，能效比更高，寿命更长。

选择STF9N60M2，就是选择了一个经过市场验证的稳健基石。它能让您以更简单的设计，实现更优异的性能，加速产品上市进程，在激烈的市场竞争中牢牢占据能效制高点。

• 型号:STF9N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:780 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF9N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。