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还在为高压应用中的效率与散热难题寻找答案吗？STF7N90K5就是您的高效解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有高达900V的击穿电压和7A的连续电流能力，让您能轻松驾驭服务器电源、工业驱动等高要求场景，显著降低系统导通与开关损耗。

它采用热性能优异的TO-220FP封装，确保在高功率耗散下（最大110W）依然保持低温可靠运行。其优化的栅极驱动特性，让您的控制电路设计更简单，系统开关更迅捷高效。选择STF7N90K5，就是为您的产品注入强劲、可靠且高效的核心动力。

• 型号:STF7N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF7N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。