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还在为开关电源的损耗和温升问题烦恼吗？让STFW24N60M2为您带来颠覆性的改变。这颗来自意法半导体MDmesh II Plus家族的600V N沟道MOSFET，核心使命就是让您的功率转换系统更高效、更凉爽、更可靠。它凭借仅190毫欧的超低导通电阻（@9A,10V），大幅降低导通损耗，直接将电能更高效地传递给负载。

同时，其优化的栅极电荷（Qg）特性让开关动作干净利落，显著减少开关损耗，帮助您轻松提升系统整体效率。无论是面对18A的连续电流，还是600V的高压环境，它都能稳健应对。TO-3PF封装确保了强大的散热能力，让芯片在重载下也能保持低温运行。选择它，就是为您的工业电源、电机驱动或PFC电路注入一颗强劲而高效的‘芯’，让设计难题迎刃而解。

• 型号:STFW24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO3PF
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• STFW24N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。