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还在为电源转换效率难以突破而困扰吗？STF7N65M6 N沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它基于意法半导体先进的MDmesh M6技术，拥有650V的高漏源电压和仅990毫欧的低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效等级。

这颗芯片能为您做什么？它让您能够以更小的散热器尺寸和更简化的驱动电路，构建出更紧凑、更可靠的功率转换模块。无论是提升现有产品的效率，还是开发新一代绿色节能设备，STF7N65M6都能提供强大的性能支持，助您快速将创意转化为具有市场竞争力的产品。

• 型号:STF7N65M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:220 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF7N65M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。