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您正在寻找一颗能同时驾驭高功率、高频率与高可靠性的功率开关解决方案吗？STGWT40H65DFB正是为此而生。这颗650V/80A的沟槽型场截止IGBT，集成了意法半导体的尖端技术，旨在让您的电源转换和电机驱动设计事半功倍。

它拥有仅2V的低导通压降，能显著减少系统运行中的能量损耗，提升整体能效。同时，其优化的开关特性（开关能量低至498J/363J）和快速的开关速度，让您轻松实现更高频率的开关操作，从而减小外围磁性元件的体积和成本，助力打造更紧凑、更高效的终端产品。无论是面对-55°C到175°C的宽温工作挑战，还是需要处理高达160A的脉冲电流，STGWT40H65DFB都能提供稳定可靠的性能输出，是您构建下一代工业变频器、新能源逆变器及高端电源设备的理想核心之选。

• 型号:STGWT40H65DFB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:283 W
• 开关能量:498J（导通），363J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:210 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns
• 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):62 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT40H65DFB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。