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还在为高压大电流开关应用中的效率瓶颈和热管理难题而烦恼吗？让STB23NM60ND来为您破局！这颗基于意法半导体先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，集600V高耐压与19.5A大电流能力于一身，专为 demanding 的电源转换任务而优化。

它能让您的设计轻松实现高效节能。其核心优势在于仅180毫欧的超低导通电阻，能显著降低功率损耗，提升整体系统效率。同时，优化的开关特性（如栅极电荷）确保了快速、干净的开关动作，让您轻松应对高频开关需求，并有效控制电磁干扰（EMI）。无论是用于功率因数校正（PFC）、电机驱动还是DC-DC转换，它都是提升产品性能和可靠性的高效之选。

• 型号:STB23NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB23NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。