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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压应用，同时保持高效与可靠的功率开关吗？STF7N105K5正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有高达1050V的漏源电压和4A的连续漏极电流，基于先进的SuperMESH5技术，它能显著降低导通和开关损耗，让您的电源或电机驱动设计效率更高，运行更凉爽。

它集低栅极电荷（仅17nC）与低导通电阻（2欧姆）于一身，让您能够实现更快的开关频率和更简洁的驱动电路设计。采用坚固的TO-220FP封装，确保在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作，是您构建工业电源、PFC电路和电机控制等高压应用的可靠基石，助您轻松提升产品性能与市场竞争力。

• 型号:STF7N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF7N105K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。