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您是否希望为您的电源或电机控制项目找到一颗既强悍又高效的“心脏”？STP12NK30Z正是这样一款N沟道功率MOSFET，它基于意法半导体先进的SuperMESH技术打造，专为 demanding 的中高压应用场景设计。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高达300V的电压和9A的连续电流，而其导通电阻低至400毫欧，能显著减少功率损耗，提升整体能效。无论是构建高效的开关电源（SMPS）、驱动电机，还是用于功率因数校正（PFC），STP12NK30Z都能提供快速、可靠的开关性能，确保您的系统运行更稳定、更节能。

此外，其坚固的TO-220AB封装和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，赋予了它卓越的散热能力和环境适应性，让您的产品在各种严苛条件下都能保持长效稳定工作，是追求高可靠性与高性能设计的理想选择。

• 型号:STP12NK30Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 9A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:670 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP12NK30Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。