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还在寻找一颗能轻松驾驭900V高压，同时保持高效、低温运行的功率开关吗？STU6N90K5就是您的理想答案。这颗来自意法半导体MDmesh K5家族的N沟道MOSFET，专为应对严苛的高压应用而优化。

它能让您轻松实现高达6A的电流控制，其领先的1.1欧姆低导通电阻，显著降低了导通损耗，提升整体能效，让您的电源或电机驱动系统运行更凉爽、更节能。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和坚固的TO-251封装，确保了它在各种环境下的卓越可靠性与耐久性，是您打造高性能、高可靠性产品的得力助手。

• 型号:STU6N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK（TO-251）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK（TO-251）
• 封装/外壳:TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
• STU6N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。