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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题头疼吗？让STF6N95K5为您带来变革！这颗950V/9A的N沟道MOSFET，基于意法半导体先进的SuperMESH5技术，能为您实现极低的导通电阻和开关损耗。

它让您轻松构建高效率、高可靠性的功率转换系统，无论是开关电源、PFC电路还是电机驱动，都能稳定胜任。其优化的动态性能和TO-220FP封装，更能帮助您简化散热设计，提升功率密度，让产品开发更高效、更省心。

• 型号:STF6N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF6N95K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。