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还在为高压半桥驱动电路的设计而烦恼吗？L6389ED正是为您而来的解决方案！这颗来自ST意法半导体的高性能栅极驱动器，专为简化您的设计、提升系统效率而生。它能轻松驱动高压侧和低压侧的MOSFET或IGBT，最高支持600V总线电压，让您无需额外隔离电源即可构建高效、紧凑的半桥拓扑。

凭借其强大的650mA/400mA峰值驱动电流和极快的开关速度，L6389ED能显著降低开关损耗，让您的电机驱动、电源转换或照明应用运行得更凉爽、更高效。其坚固的设计支持-45°C到125°C的宽温工作，确保在各种环境下稳定可靠。选择它，就是选择了一条通往更优性能、更简设计的轻松路径。

• 型号:L6389ED
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道，P 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.8V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:70ns，40ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6389ED，ST（意法半导体）产品一站式供应商。