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STFI9N80K5 零件图片(仅供参考)

STFI9N80K5
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STFI9N80K5 规格参数

还在为高压电源设计的效率瓶颈而烦恼吗?STFI9N80K5正是为您破局而生的利器。这颗采用先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET,拥有高达800V的漏源电压和7A的连续电流能力,其核心价值在于极低的导通电阻(仅900毫欧@10V),能显著降低开关过程中的导通损耗,让您的电源系统运行更高效、更凉爽。

它能让您轻松驾驭服务器电源、工业变频器、UPS等高要求应用。优异的栅极电荷和输入电容特性,确保了快速、干净的开关动作,不仅提升了整体响应速度,还简化了您的驱动电路设计。选择它,就是为您的产品注入了ST的可靠基因与高性能动力。

  • 型号:STFI9N80K5
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 800V 7A I2PAKFP
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • STFI9N80K5,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的ST供应商

STFI9N80K5 基本参数:

  • 电子零件型号:STFI9N80K5
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 800V 7A I2PAKFP
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询STFI9N80K5的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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