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您是否正在为高压电源转换寻找一颗既能扛住大电流，又能保持低损耗的“硬核”开关？STW45N60DM2AG正是为您而来的解决方案。这颗600V/34A的N沟道MOSFET，采用ST先进的MDmesh DM2技术，能显著降低导通和开关损耗，让您的电源设计效率更高，发热更少。

它能让您轻松应对从工业电机驱动到新能源逆变器的各种挑战。其优化的动态性能和坚固的TO-247封装，确保了在高功率应用中的卓越可靠性和散热能力，助您打造出更紧凑、更耐用的高性能产品。

• 型号:STW45N60DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:93 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW45N60DM2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。