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还在为高压应用中的效率与发热问题寻找解决方案吗？STF5N80K5正是为您而来的高效功率开关。它集成了意法半导体先进的MDmesh K5技术，为您提供高达800V的耐压和4A的电流处理能力，让您在设计AC-DC电源、电机驱动或照明镇流器时，轻松应对高压挑战，同时显著降低导通和开关损耗。

这颗芯片的核心价值在于让您的系统运行更凉、更高效、更可靠。其超低的栅极电荷（仅5nC）和优化的动态特性，能大幅提升开关频率，从而让您可以使用更小的磁性元件，实现电源产品的小型化与轻量化。TO-220FP封装确保了出色的散热性能，结合宽广的工作温度范围，保障了设备在恶劣环境下的长期稳定运行。

选择STF5N80K5，意味着您选择了一个经过优化的高性能平台。它能简化您的热管理设计，提升整体能效，最终帮助您打造出在市场更具竞争力的终端产品。

• 型号:STF5N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:177 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF5N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。