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还在为功率开关的效率与温升烦恼吗？STW36NM60ND正是为您的高要求应用而生。这颗N沟道MOSFET集成了ST先进的FDmesh II技术，为您带来110毫欧的超低导通电阻和高达29A的电流处理能力，让您的电源或电机驱动系统实现更低的传导损耗和更高的功率输出。

它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体表现的得力助手。高达600V的耐压和优化的动态参数（如仅80.4nC的栅极电荷），让您轻松实现高效、快速的功率切换，显著降低开关损耗。其符合汽车级AEC-Q101标准，并采用坚固的TO-247封装，确保即使在150°C结温的严苛环境下也能稳定工作，为您产品的长期可靠运行保驾护航。

• 型号:STW36NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2785 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW36NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。