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还在为高压应用中的功率损耗和效率瓶颈寻找突破口吗？让STF4N80K5为您开启高效能新篇章！这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的强悍耐压和仅2.5欧姆的低导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，直接提升您的系统整体效率。

它专为要求严苛的应用而生，无论是开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)，还是电机控制和照明镇流器，STF4N80K5都能让您轻松驾驭。其低栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，而坚固的TO-220FP封装则提供了卓越的散热性能。选择它，就是为您的设计注入了意法半导体的可靠基因与高性能保障。

• 型号:STF4N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF4N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。