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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时还能保持冷静高效的功率开关吗？STF33N60DM2正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有650V的坚固耐压和24A的连续电流处理能力，其核心魅力在于MDmesh DM2技术带来的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率。

它能让您轻松应对高频开关挑战。极低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的设计可以奔向更高的工作频率，从而缩小变压器和电感体积，实现更紧凑、更轻量化的产品设计。无论是追求80Plus钛金能效的服务器电源，还是要求苛刻的工业变频器，它都能提供稳定可靠的性能基石。

选择STF33N60DM2，就是选择了一份经久耐用的品质承诺。其宽泛的工作温度范围和稳健的TO-220FP封装，确保了在各类复杂应用环境中长久稳定运行，让您无后顾之忧地专注于系统创新与性能提升。

• 型号:STF33N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF33N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。