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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？STP11NM60FD正是为您而来！这颗采用先进FDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和11A的强大电流处理能力，能轻松成为您开关电源、电机驱动或PFC电路中的高效心脏。

它极低的导通电阻（典型值）和优化的栅极电荷，意味着更少的开关损耗和导通损耗，直接为您带来更高的系统效率和更低的温升。其经典的TO-220AB封装确保了出色的散热能力和安装便利性，让您的设计更紧凑、更可靠。选择它，就是选择让您的产品在能效和稳定性上赢得先机。

• 型号:STP11NM60FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP11NM60FD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。