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您是否在寻找一颗能同时驾驭高压与高电流，且损耗极低的功率开关管？STF32N65M5正是您的理想之选。这颗采用先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和24A的强大电流处理能力，能轻松应对服务器电源、工业驱动等严苛应用中的能量转换挑战。

它的核心魅力在于极高的效率。仅119毫欧的超低导通电阻，意味着电流通过时的能量损耗被大幅削减，直接为您降低系统发热，提升整体能效。同时，优化的栅极电荷设计让开关速度更快、损耗更小，使您能够设计出更紧凑、更高效的电源拓扑。选择它，就是为您的产品注入了强劲而高效的动力核心。

• 型号:STF32N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:119 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF32N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。