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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让意法半导体的STP9NK50Z来为您分忧！这颗基于先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有500V的高耐压和7.2A的强电流处理能力，能轻松应对严苛的功率切换任务。

它的核心价值在于卓越的性能平衡：极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更小的传导损耗，而优化的栅极电荷（Qg）则确保了快速的开关响应，从而让您的系统整体运行更高效、更凉爽。采用经典的TO-220AB封装，散热性能优异，工作温度范围宽广，为您在各种环境下的稳定运行提供了坚实保障。

• 型号:STP9NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:910 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP9NK50Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。