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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“能量开关”吗？STP185N10F3正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和高达120A的连续电流承载能力，其核心价值在于极低的4.8毫欧导通电阻，能显著减少开关和导通过程中的功率损耗，直接提升您的系统整体能效。

它基于意法半导体成熟的STripFET技术打造，让您在设计大功率电源转换、电机驱动或负载开关应用时，轻松应对热管理的挑战。高达300W的功率耗散能力和宽泛的工作温度范围，确保了其在严苛环境下的长期稳定运行。选择STP185N10F3，就是选择用一颗高效、可靠的芯片，为您的产品赢得性能与成本的双重优势。

• 制造商产品型号：STP185N10F3
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 120A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：120A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.8 毫欧 @ 60A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：300W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• STP185N10F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。