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您正在寻找一颗能同时驾驭高效率与高可靠性的功率开关吗？STF28NM50N正是为您而来！这颗基于先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和21A的强大电流处理能力，其核心魅力在于仅158毫欧的超低导通电阻。这意味着在您的电源或电机驱动电路中，它能显著降低传导损耗，让更多的电能高效转化为输出，直接提升整机效率并减少发热。

它不仅仅参数亮眼，更懂您的设计挑战。极低的栅极电荷和输入电容让开关动作干净利落，大幅减轻了驱动电路的负担，让您轻松实现更高频率的开关操作，从而可以使用更小、更经济的被动元件。无论是面对工业环境的严酷考验，还是追求消费电子的紧凑设计，STF28NM50N都能以稳定的性能和TO-220FP封装带来的优秀散热表现，助您构建出更可靠、更具竞争力的产品。

• 型号:STF28NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 21A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:158 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1735 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF28NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。