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您正在寻找一颗能轻松驾驭500V高压、同时保持高效与可靠的功率开关吗？STB5NK50Z-1正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，拥有4.4A的强劲电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通损耗在10V驱动下导通电阻仅1.5欧姆，能显著减少发热，提升系统整体能效。

它让您的电源设计事半功倍。优化的栅极电荷（仅28nC）和输入电容，意味着驱动更简单、开关速度更快，特别适合高频开关电源、PFC电路及照明驱动等应用。采用坚固的I2PAK通孔封装，散热性能优异，可在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，确保您的产品在各种环境下都持久耐用。

• 型号:STB5NK50Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB5NK50Z-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。