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还在为功率转换效率难以突破而烦恼吗？STP50N60DM6正是为您破解这一难题而生的利器。这颗采用先进MDmesh DM6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和36A的强大电流处理能力，其核心价值在于为您带来极致的效率提升。

它通过低至80毫欧的导通电阻，大幅降低导通损耗，让电能更高效地传递；同时，优化的动态参数让开关过程更快更干净，显著减少开关损耗。这意味着，您的电源、电机驱动或照明系统不仅能运行得更高效、更凉爽，还能让您轻松实现更紧凑、更可靠的设计，全面提升产品竞争力。

• 型号:STP50N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 36A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2350 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP50N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。