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您正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关吗？STF26NM60ND正是为您而来！这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和21A的强大电流处理能力，其核心魅力在于超低的175毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它精心优化的动态参数，如较低的栅极电荷，意味着更快的开关速度和更小的驱动损耗，让您轻松提升系统整体能效。无论是面对工业环境的严峻考验，还是追求消费电子的精致能效，TO-220FP封装的它都能提供可靠的散热和电气连接，是您构建高性能、高可靠性功率电路的理想基石。

• 型号:STF26NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF26NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。