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还在为高电压应用中的功率损耗和散热问题头疼吗？让STW22N95K5来为您解决！这颗950V/17.5A的N沟道MOSFET，采用ST领先的SuperMESH5技术，能显著降低导通电阻，帮助您的电源或电机驱动系统实现更高效率，同时减少热量产生。

它能让您的设计更可靠、更紧凑。其优异的开关特性（低栅极电荷）让您轻松实现高速开关，提升系统动态响应。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和坚固的TO-247封装，确保它在各种严苛环境下稳定运行，是您打造高性能、高可靠性产品的理想选择。

• 型号:STW22N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW22N95K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。