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您是否正在为高压、大电流的开关应用寻找一颗值得信赖的“心脏”？STF24NM65N正是您的理想之选。这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，拥有650V的高耐压和19A的强大电流处理能力，能轻松应对工业电源、电机驱动等领域的严苛挑战。

它采用了先进的MDmesh II技术，实现了仅190毫欧的超低导通电阻，这意味着更低的导通损耗和更高的工作效率。同时，优化的栅极电荷和开关特性，让您的系统设计更高效，散热管理更轻松，最终助力您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STF24NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 19A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF24NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。