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您正在寻找一颗能扛起大功率转换重任，同时保持冷静高效的“核心开关”吗？STW75N20正是为此而生。这颗N沟道功率MOSFET拥有200V的耐压和高达75A的连续电流处理能力，其精髓在于极低的导通电阻（仅34mΩ），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

它基于意法半导体的STripFET技术，具备优异的开关特性。合理的栅极电荷和输入电容，让驱动设计更轻松，有助于提升整体开关频率和效率。采用坚固的TO-247-3通孔封装，散热性能出众，结合190W的强大功率耗散能力，确保它在-50°C到150°C的严酷温度范围内稳定工作，为您的工业控制、能源转换等高要求应用提供持久可靠的动力核心。

• 型号:STW75N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 75A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 37A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW75N20，ST（意法半导体）产品一站式供应商。