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还在为射频前端电路的功率与效率难题寻找最优解吗？让PD57018S-E来为您实现突破！这颗先进的LDMOS射频功率FET，专为945MHz频段的高要求应用而优化。

它能让您的设计轻松驾驭高达18W的输出功率，并凭借16.5dB的高增益，显著提升信号链路的整体性能与覆盖范围。无论是基站、专业通信还是工业设备，其65V高耐压和出色的热管理设计（PowerSO-10带裸露焊盘封装），都确保了系统能够高效、稳定、可靠地长期运行，助您快速打造出具有市场竞争力的优势产品。

• 型号:PD57018S-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:16.5dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:2.5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:100 mA
• 功率 - 输出:18W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD57018S-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。