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还在为如何平衡电源设计的效率、尺寸与成本而烦恼吗？让STF24NM60N来为您分忧！这颗来自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，是您构建高效、紧凑电源系统的理想选择。

它拥有600V的高耐压和17A的强大电流处理能力，配合低至190毫欧的导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更节能。同时，其优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速、干净的开关动作，让您轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，降低整体成本。

无论是开关电源、照明镇流器还是电机驱动，STF24NM60N都能以其卓越的可靠性和性能，助您打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:STF24NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF24NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。