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还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STFU10N80K5为您带来变革性的解决方案。这颗基于意法半导体尖端MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和9A的强大电流处理能力，其超低的600毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它卓越的开关特性，如低栅极电荷和输入电容，让您能够轻松设计出响应更迅捷、频率更高的驱动电路，从而优化整个系统的体积与性能。无论是面对工业环境的严酷考验，还是追求消费电子产品的极致能效，STFU10N80K5都能让您的设计脱颖而出，可靠地肩负起功率转换的核心重任。

• 型号:STFU10N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:635 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU10N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。